[发明专利]具有增大的调谐范围的CMOS变容二极管有效
| 申请号： | 201480083617.2 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN107112283B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | M·埃尔-塔纳尼;P·帕坎;J·维德梅尔;A·梅直巴;范永平 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种变容二极管，其可以在CMOS中构建并且具有高调谐范围。在一些实施例中，所述变容二极管包括：阱；多个栅极，所述多个栅极形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电容性连接，所述栅极包括所述栅极的第一子组以及所述栅极的第二子组，所述栅极的第一子组是相邻且连续的并且耦合到激励振荡信号的正极，并且所述栅极的第二子组是相邻且连续的并且耦合到所述激励振荡信号的负极；以及多个源极/漏极端子，其形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电阻性连接，每个源极/漏极端子耦合到相应栅极以接收用于控制所述变容二极管的电容的控制电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增大 调谐 范围 cmos 变容二极管 | ||
【主权项】：
一种变容二极管，包括：阱；多个栅极，所述多个栅极形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电容性连接，所述栅极包括所述栅极的第一子组以及所述栅极的第二子组，所述栅极的第一子组是相邻且连续的并且耦合到激励振荡信号的正极，并且所述栅极的第二子组是相邻且连续的并且耦合到所述激励振荡信号的负极；以及多个源极/漏极端子，所述多个源极/漏极端子形成在所述阱之上并且具有至所述阱的电阻性连接以接收用于控制所述变容二极管的电容的控制电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
