[发明专利]具有射频扼流圈的有源环流器有效
| 申请号： | 201480082926.8 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN107078722B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 姜宗灿;哈桑·谢里菲;埃里克·M·普罗非特 | 申请（专利权）人： | 美国休斯研究所 |
| 主分类号： | H03H11/36 | 分类号： | H03H11/36 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 彭愿洁;彭家恩 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种多端口有源环流器，其中多个FET晶体管的每一个具有（i）控制电极，经由多个第一射频扼流圈中的一个相关联扼流圈的一个电容连接到环流器的一个相关联的端口，每个第一射频扼流圈连接到多个晶体管中的一个相关联晶体管的一个控制电极、相关联的晶体管的相关联端口和第一电源；（ii）一个源极，连接到一个公共点；以及（iii）一个漏极，通过一个反馈电路连接到同一晶体管的栅极，并通过第二射频扼流圈中的一个射频扼流圈的一个电容连接到一个相邻晶体管的栅极，每个第二射频扼流圈经由其中的电容耦合相邻晶体管的栅极和漏极，且每个第二射频扼流圈连接到第二电源连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 射频 扼流圈 有源 环流器 | ||
【主权项】：
一种多端口有源环流器，其特征在于，包括：a. 多个FET晶体管、多个第一射频扼流圈和多个第二射频扼流圈，其中，每个所述FET晶体管包括：（i）一个栅极，其经由所述多个第一射频扼流圈中的一个相关联的射频扼流圈中的一个电容连接到所述多端口有源环流器的一个相关联的端口，每个所述第一射频扼流圈连接到所述多个晶体管中的一个相关联的晶体管的一个栅极、所述相关联的晶体管的相关联的端口以及连接到一个第一电源连接；（ii）一个源极，其连接到一个公共点；以及（ⅲ）一个漏极，其通过一个反馈电路连接到同一晶体管的所述栅极，并通过所述第二射频扼流圈中的一个射频扼流圈的一个电容连接到一个相邻晶体管的栅极，每个所述第二射频扼流圈经由其中的电容耦合相邻晶体管的栅极和漏极，并且每个所述第二射频扼流圈连接到一个第二电源连接；b. 所述公共点经由电路装置连接到一个第三电源连接。
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