[发明专利]具有温度、工艺和电压补偿的死区时间延迟的电路、DC-DC转换系统以及集成电路

摘要

提出温度、工艺和电源补偿的延迟电路、DC到DC转换器和集成电路，其中使用多个级联的CMOS反相器电路提供开关驱动器死区时间延迟，该多个级联的CMOS反相器电路具有通过二极管连接的MOS晶体管耦合到经调节的电压或电路接地的第一反相器，并且MOS电容器被提供在第一反相器输出端和经调节的电压或电路接地之间以提供受控延迟时间。第二级联的CMOS反相器由随温度降低的经补偿的电压供电，以作为比较器操作，并且某些实施例包括一个或多个中间CMOS反相器以在第二反相器和最终输出反相器之间形成电平移位电路，其中该电平移位反相器由随着增加的温度而降低的相继更高的经补偿的电压供电。

主权项

1.一种延迟电路，其用于提供死区时间延迟以操作开关DC到DC转换系统的驱动器晶体管，所述延迟电路包含：第一反相器电路，所述第一反相器电路包含：第一晶体管，其具有与经调节的电压节点耦合的源极端子、与延迟输入节点耦合以接收延迟电路输入电压信号的栅极端子，和与第一反相器输出节点耦合的漏极端子；和第二晶体管，其具有与所述第一反相器输出节点耦合的漏极端子、与所述延迟输入节点耦合的栅极端子，和与恒定电压节点耦合的源极端子；二极管连接的MOS晶体管，其被耦合以在所述第一反相器电路与所述经调节的电压节点与所述恒定电压节点中的一个节点之间提供阻抗；MOS电容器，其被耦合在所述第一反相器输出节点与所述经调节的电压节点和所述恒定电压节点中的所述一个节点之间，所述MOS电容器和所述二极管连接的MOS晶体管建立用于所述第一反相器电路的第一反相器延迟；第二反相器电路，其包含：第三晶体管，其具有与第一经补偿的电压节点耦合的源极端子、与所述第一反相器输出节点耦合的栅极端子，和与第二反相器输出节点耦合的漏极端子；和第四晶体管，其具有与所述第二反相器输出节点耦合的漏极端子、与所述第一反相器输出节点耦合的栅极端子，和与所述恒定电压节点耦合的源极端子；以及输出反相器电路，其包含：第五晶体管，其具有与电源电压节点耦合的源极端子、与所述第二反相器输出节点耦合的栅极端子，和与延迟电路输出节点耦合的漏极端子；和第六晶体管，其具有与所述延迟电路输出节点耦合的漏极端子、与所述第二反相器输出节点耦合的栅极端子，和与所述恒定电压节点耦合的源极端子；以及电源电路，其在所述第一经补偿的电压节点处提供随着增加的温度而降低的电压。