[发明专利]切割片用基材膜及切割片有效
申请号: | 201480079955.9 | 申请日: | 2014-06-18 |
公开(公告)号: | CN106463371B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 田矢直纪;仁藤有纪;宫武祐介 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B32B27/06;B32B27/32;B32B7/12;B32B27/08;C09J7/29 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种切割片用基材膜(2),其用于具备基材膜(2)、层叠于基材膜(2)单面的粘着剂层(3)的切割片(1),其中,所述切割片用基材膜(2)至少具有:与切割片(1)的粘着剂层(3)接触的第一树脂层(A)、和卷取切割片用基材膜(2)时与第一树脂层(A)接触的第二树脂层(B),第二树脂层(B)的结晶度为28~45%,第一树脂层(A)的拉伸模量相对于第二树脂层(B)的拉伸模量的比例为1.2~3.0,第一树脂层(A)的厚度相对于切割片用基材膜(2)的厚度的比例为25~80%。 | ||
搜索关键词: | 切割 基材 | ||
【主权项】:
1.一种切割片用基材膜,其用于具有基材膜、和层叠于所述基材膜的单面的粘着剂层的切割片,其特征在于:所述切割片用基材膜至少具有:与所述切割片的粘着剂层接触的第一树脂层(A)、和卷取所述切割片用基材膜时与所述第一树脂层(A)接触的第二树脂层(B),所述第一树脂层(A)由含有乙烯类共聚物(a1)、三元共聚物(a2)、及聚烯烃(a3)的树脂组合物(R1)形成,其中,所述乙烯类共聚物(a1)选自乙烯‑α,β‑不饱和羧酸共聚物、及乙烯‑α,β‑不饱和羧酸‑α,β‑不饱和羧酸酯共聚物,所述三元共聚物(a2)具有来自α‑烯烃的结构单元、来自(甲基)丙烯酸缩水甘油酯或缩水甘油基不饱和醚的结构单元、及来自乙烯基酯或不饱和羧酸酯的结构单元,所述第二树脂层(B)的结晶度为28~45%,所述第一树脂层(A)的拉伸模量相对于所述第二树脂层(B)的拉伸模量的比例为1.2~3.0,所述第一树脂层(A)的厚度相对于所述切割片用基材膜的厚度的比例为25~80%。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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