[发明专利]太阳能电池的制造方法以及太阳能电池有效
| 申请号: | 201480077751.1 | 申请日: | 2014-04-04 |
| 公开(公告)号: | CN106133922B | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
| 发明(设计)人: | 幸畑隼人 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李今子 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 目的在于使扩散层的浓度控制变容易,并通过受光面的表面浓度的低浓度化、电极下的杂质浓度的高浓度实现高效化。当在形成有受光面的扩散层2的基板1的第1面1A的一部分形成高浓度扩散层5时,在形成扩散源的状态下进行热氧化,从而将受光面的扩散层2的最表面的杂质取入到热氧化膜6中。由此受光面的扩散层2的最表面的杂质浓度比内侧的杂质浓度低。 | ||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 制造 方法 以及 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池的制造方法,包括:准备具有构成受光面的第1面和与所述第1面对置的第2面的第1导电类型的半导体基板的工序;第1扩散工序,在所述第1面形成第2导电类型的扩散层;第2工序,在形成有所述第2导电类型的扩散层的所述半导体基板的所述第1面的一部分,形成包含第2导电类型的扩散源的膜;第3工序,在氧化气氛中对形成有所述扩散源的所述半导体基板进行热处理,通过来自所述扩散源的扩散而形成高浓度扩散层,并且形成氧化膜;在所述高浓度扩散层上形成第1电极的工序;以及在所述第2面形成第2电极的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480077751.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有纳米结构的图案的透光性导电体及其制造方法
- 下一篇:IC标签发行装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





