[发明专利]磁阻元件有效
| 申请号： | 201480077068.8 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN106463611B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 渡边大辅;金亮坤;长岭真;李永珉;上田公二;永濑俊彦;泽田和也;金国天;李宝美;崔源峻 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社;SK海力士公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L21/8246;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘薇;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据一个实施例，提供了磁阻元件，其包括第一磁层、在第一磁层上的非磁层和在非磁层上的第二磁层，其中第一磁层和第二磁层之一包括Co和Fe之一、以及具有比Co和Fe更高的标准电极电势的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 | ||
【主权项】：
一种磁阻元件，包括：第一磁层；在所述第一磁层上的非磁层；以及在所述非磁层上的第二磁层；其中，所述第一磁层和所述第二磁层之一包括：Co和Fe之一、以及具有比Co和Fe更高的标准电极电势的材料。
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