[发明专利]具有袋状部的P隧穿场效应晶体管器件有效
| 申请号： | 201480076421.0 | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106062967B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | U·E·阿维奇;R·科特利尔;I·A·扬 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L29/78;H01L21/18 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了隧穿场效应晶体管(TFET)，其包括：具有第一导电类型的漏极区；具有与第一导电类型相对的第二导电类型的源极区；使沟道区在源极区与漏极区之间形成的栅极区；以及设置在源极区的结附近的袋状部，其中袋状部的区由由一种材料形成，所述材料具有的一种类型的原子的百分比比源极区、沟道区、以及漏极区中的这种类型的原子的百分比低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 袋状部 场效应 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
1.一种隧穿场效应晶体管TFET，包括：/n漏极区，所述漏极区具有第一导电类型；/n源极区，所述源极区具有与所述第一导电类型相对的第二导电类型；/n栅极区，所述栅极区使沟道区在所述源极区与所述漏极区之间形成；以及/n谐振袋状部，所述谐振袋状部设置在所述源极区的结附近，其中，所述谐振袋状部包括一种材料，所述材料具有的一种类型的原子的百分比比所述源极区、所述沟道区、以及所述漏极区中的所述一种类型的原子的百分比低，/n其中，所述谐振袋状部是应变区，并且所述漏极区、所述源极区和所述沟道区是弛豫区。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480076421.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：音响（Q519）
- 下一篇：仿古蓝牙音箱（E-69E0）
- 同类专利
- 专利分类
