[发明专利]可安装于存储介质处理工具中的蚀刻源有效
申请号: | 201480072744.2 | 申请日: | 2014-01-17 |
公开(公告)号: | CN106103791B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 塞缪尔·刘易斯·唐纳卡;托马斯·拉森·格林伯格 | 申请(专利权)人: | 希捷科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 杨娟奕 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种等离子体刻蚀源(122),可安装到溅射沉积工具(100)的多个隔间(102,104,106,108,110)中的至少一个。等离子体蚀刻源(122)包括:第一安装板(302)和联接到所述第一安装板(302)的至少一个电极板(304)。气体入口(308)被包括在等离子体蚀刻源(122)的第一安装板(302)中。 | ||
搜索关键词: | 安装 存储 介质 处理 工具 中的 蚀刻 | ||
【主权项】:
1.一种设备,包括:溅射沉积工具,所述溅射沉积工具具有多个隔间,所述多个隔间中的至少一个隔间具有至少一个安装板安装窗;以及蚀刻源,包括至少一个安装板,所述至少一个安装板能够移除地安装到所述溅射沉积工具的所述多个隔间中的至少一个隔间的所述至少一个安装板安装窗中,其中所述至少一个安装板被制定尺寸以对应于所述至少一个安装板安装窗的开口的尺寸,并且其中所述开口在所述至少一个安装板安装到所述至少一个安装板安装窗中时由所述至少一个安装板关闭,其中所述蚀刻源是平行电极蚀刻源,配置成蚀刻定位在所述平行电极之间的元件的相对表面,和其中所述平行电极中的至少一个联接至所述至少一个安装板,和其中所述平行电极连接至同一电源,并且所述同一电源的第一端子直接电连接至所述平行电极中的第一个电极,所述同一电源中的第二端子直接电连接至所述平行电极中的第二个电极,和其中所述电源配置成在所述平行电极之间提供能够在所述平行电极之间形成等离子体的电压;和其中定位在所述平行电极之间的所述元件配置成在所述等离子体内保持在所述元件没有收集到电流的浮动电位。
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