[发明专利]用于减轻半导体器件中的寄生电容的影响的方法和装置有效
| 申请号： | 201480072731.5 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN105900242B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 郑全成;常润滋 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 巴巴多斯;BB |
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| 摘要： | 实施例包括半导体器件，其包括：栅极层，该栅极层包括(i)第一区段和(ii)第二区段，其中栅极层是非直线的，以使得栅极层的第一区段相对于栅极层的第二区段被偏移；以及第一接触和第二接触，其中栅极层的第一区段位于(i)距离第一接触为第一距离处以及(ii)距离第二接触为第二距离处，其中第一距离与第二距离不同。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减轻 半导体器件 中的 寄生 电容 影响 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：栅极层，所述栅极层包括(i)第一区段和(ii)第二区段，其中所述栅极层是非直线的，使得所述栅极层的所述第一区段相对于所述栅极层的所述第二区段偏移，并且其中所述栅极层的所述第一区段和所述栅极层的所述第二区段形成所述栅极层的连续区段；以及第一接触，第二接触，第三接触和第四接触，其中所述栅极层的所述第一区段位于(i)距离所述第一接触为第一距离处以及(ii)距离所述第二接触为第二距离处，其中所述第一距离与所述第二距离不同，其中所述栅极层的所述第二区段位于距离所述第三接触和所述第四接触中的每一个为第三距离处，其中所述栅极层的所述第一区段的至少一部分被包括在第一晶体管中，其中所述栅极层的所述第二区段的至少一部分被包括在第二晶体管中，并且其中所述第二晶体管与所述第一晶体管不同并且与所述第一晶体管相邻。
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