[发明专利]导电层路由在审
| 申请号： | 201480072114.5 | 申请日： | 2014-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN105874586A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | S·S·宋;K·利姆;Z·王;J·J·徐;X·陈;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造中部制程(MOL)层和包括MOL层的器件的方法。一种根据本公开的一方面的方法包括跨至半导体基板的诸半导体器件的端子的有源触点(112)来沉积硬掩模(500)。此种方法还包括图案化该硬掩模以选择性地暴露这些有源触点之中的一些(112‑5)并选择地隔绝这些有源触点中的一些(112‑2)。该方法还包括在经图案化的硬掩模和所暴露的有源触点上沉积导电材料(1100)以将所暴露的有源触点在这些半导体器件的有源区域上彼此耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 路由 | ||
【主权项】：
一种制造中部制程(MOL)层的方法，包括：跨至半导体基板的半导体器件的端子的多个有源触点来沉积硬掩模；图案化所述硬掩模以选择性地暴露所述多个有源触点中的一些有源触点并选择地隔绝所述多个有源触点中的一些有源触点；以及在经图案化的硬掩模和所述多个有源触点中的所暴露有源触点上沉积导电材料以在所述半导体器件的有源区域上将所述多个有源触点中的所暴露有源触点彼此耦合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
