[发明专利]层叠膜和柔性电子器件有效
申请号: | 201480070669.6 | 申请日: | 2014-12-11 |
公开(公告)号: | CN105873763B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 山下恭弘;伊藤丰;中岛秀明 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | B32B27/06 | 分类号: | B32B27/06;B32B27/16;C23C16/42;C23C16/507;H01L51/50;H05B33/02;H05B33/04 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 王海川,穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种层叠膜,其具有挠性基材和形成在上述基材的至少一个表面上的至少1层薄膜层,其中,上述薄膜层中,至少1层满足全部下述条件(i)和(ii)(i)含有硅原子(Si)、氧原子(O)和氮原子(N);(ii)对薄膜层的表面进行X射线光电子能谱测定时,由宽扫描能谱计算出的碳原子相对于硅原子的原子数比满足由下述式(1)0<C/Si≤0.2(1)表示的条件。 | ||
搜索关键词: | 层叠 柔性 电子器件 | ||
【主权项】:
一种层叠膜,其具有挠性基材和形成在所述基材的至少一个表面上的至少1层薄膜层,其中,所述薄膜层中,至少1层满足全部下述条件(i)和(ii):(i)含有硅原子(Si)、氧原子(O)和氮原子(N);(ii)对薄膜层的表面、即更远离基材的面进行X射线光电子能谱测定时,由宽扫描能谱计算出的碳原子相对于硅原子的原子数比满足由下述式(1)表示的条件:0<C/Si≤0.2 (1),满足所述条件(i)和(ii)的薄膜层的厚度为80nm以上,从满足所述条件(i)和(ii)的薄膜层的表面起朝向满足所述条件(i)和(ii)的薄膜层内部在厚度方向上到40nm为止的深度的范围内含有硅原子和氧原子,氮原子相对于硅原子的原子数比在下述式(2)的范围内,N/Si≤0.2 (2)。
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