[发明专利]制备对位线性烷基取代的羟基芳族化合物的方法在审
| 申请号： | 201480068448.5 | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105829281A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | C·马耶;C·B·坎贝尔;A·库伯曼 | 申请（专利权）人： | 雪佛龙奥伦耐有限责任公司 |
| 主分类号： | C07C409/08 | 分类号： | C07C409/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李翼 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开的是一种制备异构体混合物的方法，所述异构体混合物包含主要量的对位线性单烷基取代的羟基芳族化合物。该方法包括以下步骤：(a)提供异构体混合物，其包含主要量的对位二(烷基取代的)芳族化合物；其中第一烷基取代基是C3‑C8烷基部分和第二烷基取代基是C4+n‑C8+n线性烷基部分，和进一步地，其中该第二烷基取代基比第一烷基取代基多了至少1个碳原子；(b)在含氧源存在下，使上述异构体混合物经历氧化条件，由此将该第一烷基取代基(其是C3‑C8烷基部分)转化成含氢过氧化物的取代的部分；和(c)将该含氢过氧化物的取代的部分转化成羟基部分，由此提供异构体混合物，其包含主要量的对位线性单烷基取代的羟基芳族化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 对位 线性 烷基 取代 羟基 化合物 方法 | ||
【主权项】：
一种制备异构体混合物的方法，所述异构体混合物包含主要量的对位线性单烷基取代的羟基芳族化合物，该方法包括以下步骤：(a)提供异构体混合物，其包含主要量的对位二(烷基取代的)芳族化合物；其中第一烷基取代基是C3‑C8烷基部分，和第二烷基取代基是C4+n‑C8+n线性烷基部分，其中n是0‑42和进一步地，其中所述第二烷基取代基比第一烷基取代基多了至少1个碳原子；(b)在含氧源存在下，使包含主要量的对位二(烷基取代的)芳族化合物的异构体混合物经历氧化条件，由此将第一烷基取代基，其是C3‑C8烷基部分，转化成含氢过氧化物的取代的部分，来生产异构体混合物，其包含主要量的对位线性烷基取代的、含氢过氧化物的取代的芳族化合物；和(c)将含氢过氧化物的取代的部分转化成羟基部分，由此提供异构体混合物，其包含主要量的对位线性单烷基取代的羟基芳族化合物。
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