[发明专利]使用处理系统的气隙结构集成

摘要

一种用于在集成层堆叠中形成气隙结构的方法，该方法包括在真空下在处理系统中干蚀刻设置在堆叠上的模具层。模具层设置于一个或多个互连件之间，且模具层的干蚀刻的工艺暴露互连件的至少一部分。该方法还包括在互连件的所暴露的部分上沉积衬垫层。在另一个实施例中，一种用于在集成层堆叠中形成气隙结构的方法，包括在真空下在处理系统中的第一处理腔室中干蚀刻设置在堆叠上的氧化物模具层。该方法还包括在互连件上沉积低‑k材料衬垫层，其中衬垫具有小于约2纳米的厚度。在处理系统中执行本文中公开的方法而没有破坏真空。

主权项

1.一种用于在集成层堆叠中形成气隙结构的方法，包括以下步骤：在真空下在处理系统中干蚀刻设置在所述集成层堆叠上的模具层，其中所述模具层设置于一个或多个铜互连件之间，且所述模具层的干蚀刻暴露所述一个或多个铜互连件的至少一部分；以及在由所述干蚀刻暴露的所述一个或多个铜互连件的所暴露的部分上沉积保形衬垫层，其中在维持真空的情况下在所述处理系统中执行所述干蚀刻的步骤及沉积所述保形衬垫层的步骤。