[发明专利]用于具有下一比特表的存储器单元的刷新方案在审
| 申请号： | 201480066948.5 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105814639A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | X·董;J·P·金;J·徐 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 存储器刷新控制技术允许基于外部1倍刷新率的灵活内部刷新率以及允许跳过基于外部1倍刷新率的针对强存储器行的刷新循环。存储器控制器通过从刷新地址计数器中读取刷新地址、从弱地址表中读取弱地址以及至少部分地基于与弱地址组合的下一比特序列来生成下一弱地址值来执行存储器刷新。存储器控制器将刷新地址与弱地址以及与下一弱地址值进行比较。基于该比较，存储器控制器在跳过刷新循环、刷新刷新地址、刷新弱地址、以及刷新刷新地址和弱地址两者之间进行选择。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 比特 存储器 单元 刷新 方案 | ||
【主权项】：
一种存储器控制器内的存储器刷新方法，包括：从刷新地址计数器中读取刷新地址；从弱地址表中读取弱地址；至少部分地基于与所述弱地址组合的下一比特序列来生成下一弱地址值；将所述刷新地址与所述弱地址以及与所述下一弱地址值进行比较；以及至少部分地基于所述比较来在跳过刷新循环、刷新所述刷新地址、刷新所述弱地址、以及刷新所述刷新地址和所述弱地址两者之间进行选择。
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