[发明专利]杂质添加装置、杂质添加方法以及半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201480066640.0 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105793960B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 井口研一;中澤治雄;荻野正明 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/228 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 杂质添加装置(1)具备支承半导体衬底(2)的支承台(3)、固定于该支承台(3)的半导体衬底(2)以及与半导体衬底(2)相离地配置的壁块(10)。壁块(10)在内部具有凹部(12)以在半导体衬底(2)的壁块侧的面上形成存在包含杂质元素的溶液(4)的局部区域(B)。另外，杂质添加装置(1)具备隔着被壁块(10)包围的溶液(4)向半导体衬底(2)的上表面照射激光(32)的激光光学系统(30)。杂质添加装置(1)用于通过激光(32)的照射向半导体衬底(2)的内部的一部分添加杂质元素。 | ||
| 搜索关键词： | 杂质 添加 装置 方法 以及 半导体 元件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种杂质添加装置，其特征在于，具备：支承台，其支承半导体衬底；壁块，其相对于该支承台与所述半导体衬底相离地配置，在内部具有凹部以在所述半导体衬底的同所述支承台相反的一侧的面上形成存在包含杂质元素的溶液的局部区域，并且具有用于注入所述溶液的注入孔以及用于排出所述溶液的排出孔以在该凹部的内侧构成流通路径；以及激光光学系统，其隔着被所述壁块包围的所述溶液向所述半导体衬底的同所述支承台相反的一侧的面照射激光，所述溶液沿着所述流通路径在所述半导体衬底的同所述支承台相反的一侧的面上移动，其中，通过所述激光的照射而所述杂质元素被添加至所述半导体衬底的内部的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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