[发明专利]外延晶片生长装置

摘要

本发明涉及一种用工艺气体流来生长外延层的外延晶片生长装置。该外延晶片生长装置包括：提供所述工艺气体在其中流动的区域的反应腔；环绕所述反应腔侧面的上部衬垫和下部衬垫；基座，所述基座布置在反应腔的中心，从而晶片布置在所述基座上；预热环，所述预热环布置与所述基座共面，并且设置在所述下部衬垫的上表面上，从而与所述基座隔开；以及固定构件，所述固定构件提供在所述预热环的下方，从而与所述下部衬垫的侧表面进行接触，其中，所述固定构件包括突出部，所述突出部沿圆周方向与所述下部衬垫的侧表面具有接触表面，并且使所述突出部固定以允许所述预热环和所述基座之间具有预定的间隔。因此，使设置在所述下部衬垫上的预热环固定以在外延生长工艺中，使所述预热环与所述基座沿所有的方向维持预定的距离，从而能够以恒定的方式控制反应气体流向晶片，以在所述晶片的边缘处形成均匀的外延厚度。

主权项

一种利用工艺气流在晶片上生长外延层的外延晶片生长装置，该装置包括：反应腔，在所述反应腔中，存在所述工艺气流；上部衬垫和下部衬垫，每个衬垫均环绕所述反应腔的侧面；基座，与所述反应腔同心布置且同心布置在所述反应腔中，所述基座配置用于支撑在该基座上的所述晶片；预热环，所述预热环安置在所述下部衬垫的顶面上，所述预热环与所述基座共面，并且所述预热环与所述基座隔开；以及至少一个突出部，所述至少一个突出部从所述预热环向下延伸，其中，所述突出部与所述下部衬垫的圆周侧表面具有圆周接触面，其中，所述突出部配置用于将所述预热环固定至所述下部衬垫，以使所述预热环与所述基座之间沿所述预热环保持均匀的间隔。