[发明专利]Cu-Ga合金溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201480060592.4 | 申请日： | 2014-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN105705674B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 吉田勇气;石山宏一;森晓 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F1/00;B22F3/10;C22C1/04;C22C1/05;C22C9/00;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的Cu‑Ga合金溅射靶为具有如下组成的烧结体：29.5～43.0原子％的Ga以及剩余部分为Cu和不可避免的杂质，该烧结体中的Cu‑Ga合金晶粒具有γ相粒子分散于γ |
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| 搜索关键词： | cu ga 合金 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种Cu‑Ga合金溅射靶，其为具有如下组成的烧结体：29.5～43.0原子％的Ga以及剩余部分为Cu和不可避免的杂质，其中，所述烧结体中的Cu‑Ga合金晶粒具有γ相粒子分散于γ1相晶粒中的组织。
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