[发明专利]用于NAND闪速存储器的缺陷管理策略有效
申请号: | 201480058193.4 | 申请日: | 2014-10-21 |
公开(公告)号: | CN105637591B | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | P.卡拉瓦德;F.朱;S.S.拉胡纳桑;R.H.莫特万 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00;G11C16/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张金金;姜甜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 管理非易失性存储系统中的缺陷的系统和方法,其可以用于避免数据的无意丢失,同时在非易失性存储系统中维持尽可能多的有用存储器。公开的系统和方法可以监测多个触发事件以用于检测非易失性存储系统中包括的一个或多个非易失性存储器(NVM)设备中的可能缺陷,并且基于导致检测可能缺陷的触发事件的类型来对相应NVM设备应用一个或多个缺陷管理策略。这样的缺陷管理策略可以抢先地用于使非易失性存储系统中的存储器以增加的粒度引退,从而使存储器的引退集中在可能包含缺陷的非易失性存储器的区域上。 | ||
搜索关键词: | 用于 nand 存储器 缺陷 管理 策略 | ||
【主权项】:
1.一种管理非易失性存储系统中的缺陷的方法,所述非易失性存储系统包括一个或多个非易失性存储器(NVM)设备,所述方法包括:由NVM缺陷管理策略引擎监测多个触发事件以用于检测至少一个NVM设备中的可能缺陷,所述多个触发事件中的每个具有关联的类型;监测至少一个触发事件后,由所述NVM缺陷管理策略引擎确定所述触发事件的类型;以及由所述NVM缺陷管理策略引擎基于所述触发事件的类型将至少一个缺陷管理策略应用于所述NVM设备。
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