[发明专利]径向P-N结纳米线太阳能电池有效
| 申请号： | 201480055147.9 | 申请日： | 2014-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN105874608B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 林程关;赫尔格·维曼 | 申请（专利权）人： | 挪威科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;刘铮 |
| 地址： | 挪威特*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | 光伏装置，包括固定至衬底的至少一个纳米线结构，其中至少一个纳米线结构中的每个包括：重掺杂p型芯部，具有固定至衬底的近端和远离衬底延伸的远端；以及位于p型芯部周围的n型壳体。 | ||
| 搜索关键词： | 径向 纳米 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.光伏装置，包括固定至衬底的至少一个纳米线结构，其中每个所述纳米线结构均包括：重掺杂p型芯部，具有固定至所述衬底的近端和远离所述衬底延伸的远端；以及轻掺杂n型壳体，位于所述p型芯部周围，从而形成径向p‑n结；其中，所述p型芯部由GaAs形成，以及所述n型壳体由AlxGa1‑xAs形成并具有小于1017cm‑3的掺杂密度，其中x的值小于或等于0.2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
