[发明专利]用于修整电阻式存储器中的参考电平的系统、装置和方法有效

专利信息
申请号: 201480053559.9 申请日: 2014-09-17
公开(公告)号: CN105593940B 公开(公告)日: 2018-12-14
发明(设计)人: T·金;J·P·金;S·金 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G11C7/14 分类号: G11C7/14;G11C11/15;G11C11/16;G11C13/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 袁逸
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了用于修整电阻式存储器中的参考电平的系统和方法。在一特定实施例中,电阻式存储器包括多个参考单元集合。该电阻式存储器还包括参考电阻测量电路。第一参考单元集合可由该参考电阻测量电路访问以测量对应于该第一参考单元集合的第一有效参考电阻。第二参考单元集合可由该参考电阻测量电路访问以测量对应于第二参考单元集合的第二有效参考电阻。该电阻式存储器还包括被配置成基于测量出的第一有效电阻和测量出的第二有效电阻来设置参考电阻的修整电路。
搜索关键词: 用于 修整 电阻 存储器 中的 参考 电平 系统 方法
【主权项】:
1.一种用于电子设备的方法,包括:在电阻式存储器设备处:初始化第一参考单元集合中的特定参考单元,以使得第一磁性隧道结器件处于平行状态并且第二磁性隧道结器件处于反平行状态;在初始化所述特定参考单元之后,测量第一有效参考电阻,所述第一有效参考电阻基于所述电阻式存储器设备的所述第一参考单元集合;测量第二有效参考电阻,所述第二有效参考电阻基于所述电阻式存储器设备的第二参考单元集合;基于所述第一有效参考电阻和所述第二有效参考电阻来确定目标参考电阻电平;以及至少部分地基于所述目标参考电阻电平来修整参考电阻。
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