[发明专利]用于修整电阻式存储器中的参考电平的系统、装置和方法

权利要求书

1.一种用于电子设备的方法，包括：

在电阻式存储器设备处：

初始化第一参考单元集合中的特定参考单元，以使得第一磁性隧道结器件处于平行状态并且第二磁性隧道结器件处于反平行状态；

在初始化所述特定参考单元之后，测量第一有效参考电阻，所述第一有效参考电阻基于所述电阻式存储器设备的所述第一参考单元集合；

测量第二有效参考电阻，所述第二有效参考电阻基于所述电阻式存储器设备的第二参考单元集合；

基于所述第一有效参考电阻和所述第二有效参考电阻来确定目标参考电阻电平；以及

至少部分地基于所述目标参考电阻电平来修整参考电阻。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一参考单元集合对应于所述电阻式存储器设备的第一字线，并且其中所述第二参考单元集合对应于所述电阻式存储器设备的第二字线。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电阻式存储器设备是磁阻式随机存取存储器MRAM设备、电阻式随机存取存储器ReRAM设备、相变随机存取存储器PCRAM设备或其任何组合。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括将与数据单元相关联的磁性隧道结器件的电阻值与目标参考电阻电平进行比较。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括将可变电阻器的电阻值设为近似等于所述目标参考电阻电平。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，修整所述参考电阻包括将可变电阻器的电阻值设为近似等于所述目标参考电阻电平，并且其中所述方法进一步包括将与数据单元相关联的磁性隧道结器件的电阻值与所述可变电阻器的电阻值进行比较以确定位值。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，设置所述可变电阻器的所述电阻值包括：

响应于确定在所述可变电阻器处测量出的电阻值大于所述目标参考电阻电平，减小所述可变电阻器处的电阻值；以及

响应于确定在所述可变电阻器处测量出的电阻值小于所述目标参考电阻电平，增大所述可变电阻器处的电阻值。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，修整所述参考电阻包括修改所述第一有效参考电阻。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，修改所述第一有效参考电阻包括改变与所述第一参考单元集合中的参考单元相关联的磁性隧道结器件的状态。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，修改所述第一有效参考电阻包括：

响应于确定所述第一有效参考电阻并非基本上等于所述目标参考电阻电平：

响应于确定所述第一有效参考电阻大于所述目标参考电阻电平，增大与所述第一有效参考电阻相关联的处于平行状态的第一磁性隧道结器件的数目，减小与所述第一有效参考电阻相关联的处于反平行状态的第二磁性隧道结器件的数目或其任何组合；以及

响应于确定所述第一有效参考电阻小于所述目标参考电阻电平，增大与所述第一有效参考电阻相关联的处于反平行状态的第二磁性隧道结器件的数目，减小与所述第一有效参考电阻相关联的处于平行状态的第一磁性隧道结的数目或其任何组合。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，修整所述参考电阻进一步包括修改与所述电阻式存储器设备的诸附加参考单元集合相关联的相应有效参考电阻。

12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包括：

将与关联于所述第一参考单元集合的数据磁性隧道结器件相关联的电阻值与经修改的第一有效参考电阻进行比较以确定位值；

在测量所述第一有效参考电阻之前，通过将所述第一磁性隧道结器件置于平行状态并将所述第二磁性隧道结器件置于反平行状态来初始化所述特定参考单元。