[发明专利]通过将扩散区设计为钎焊连接部的扩散钎焊方法和带这种钎焊连接部的电子组件有效
申请号: | 201480053472.1 | 申请日: | 2014-09-11 |
公开(公告)号: | CN105706224B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | J.斯特罗吉斯;K.威尔克 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 侯宇 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种扩散钎焊方法,其中将电子元器件(13)放置在衬底(12)上。在此,接合表面设计成,使得在接合缝(21)的区域内形成空腔(20、27)。这可以例如通过在元器件(13)的安装面(18)中和/或在衬底(12)的接触面(14)中设置凹槽来确保,所述凹槽(27)为碗状或有利地为环绕柱状结构元件(22)的通道(20),所述结构元件(22)的端面形成用于连接的安装面(18)和/或接触面(14)。空腔(20、27)的优点在于,当将元器件(13)放置在衬底(12)的接触面(14)上时焊料(19)会漏到空腔(20、27)中,以达到接合缝(21)的所需宽度。因此接合缝(21)可选成这样窄,使得该接合缝在钎焊时借助桥接接合缝(21)的扩散区(24)形成,该扩散区例如由金属间化合物构成。有利地即使在利用标准焊料的情况下也以这样的方式形成扩散焊连接。本发明进一步涉及一种以所述方法制造的电子组件(11)。 | ||
搜索关键词: | 通过 扩散 设计 钎焊 连接 方法 这种 电子 组件 | ||
【主权项】:
1.一种用于在衬底(12)上扩散钎焊电子元器件(13)的方法,其中:‑将所述元器件(13)以其安装面(18)放置在所述衬底(12)的接触面(14)上,其中在所述衬底与所述元器件(13)之间施加焊料,并且‑将所述焊料(19)加热到引发在所述焊料(19)与所述元器件(13)以及所述衬底(12)之间的扩散过程的温度,其中形成钎焊连接部,所述钎焊连接部具有桥接所述接触面(14)与所述安装面(18)之间的间隙(21)的扩散区(24),所述扩散区(24)具有与所述焊料相比升高的熔化温度,其中,所述元器件(13)的安装面(18)和/或所述衬底(12)的接触面(14)设有凹槽(20、27),‑所述凹槽在所述钎焊连接部形成之后位于桥接所述接触面(14)与所述安装面(18)之间的间隙(21)的扩散区(24)以外,并且‑所述凹槽在所述扩散区以外仅部分地被由钎焊合金(25)形成的钎焊连接部填充。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西门子公司,未经西门子公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480053472.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体模块
- 下一篇:用于确定压印模具的图案的方法、压印方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造