[发明专利]通过将扩散区设计为钎焊连接部的扩散钎焊方法和带这种钎焊连接部的电子组件有效

专利信息
申请号: 201480053472.1 申请日: 2014-09-11
公开(公告)号: CN105706224B 公开(公告)日: 2018-11-02
发明(设计)人: J.斯特罗吉斯;K.威尔克 申请(专利权)人: 西门子公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/488
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 侯宇
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 通过 扩散 设计 钎焊 连接 方法 这种 电子 组件
【权利要求书】:

1.一种用于在衬底(12)上扩散钎焊电子元器件(13)的方法,其中:

-将所述元器件(13)以其安装面(18)放置在所述衬底(12)的接触面(14)上,其中在所述衬底与所述元器件(13)之间施加焊料,并且

-将所述焊料(19)加热到引发在所述焊料(19)与所述元器件(13)以及所述衬底(12)之间的扩散过程的温度,其中形成钎焊连接部,所述钎焊连接部具有桥接所述接触面(14)与所述安装面(18)之间的间隙(21)的扩散区(24),所述扩散区(24)具有与所述焊料相比升高的熔化温度,

其中,所述元器件(13)的安装面(18)和/或所述衬底(12)的接触面(14)设有凹槽(20、27),

-所述凹槽在所述钎焊连接部形成之后位于桥接所述接触面(14)与所述安装面(18)之间的间隙(21)的扩散区(24)以外,并且

-所述凹槽在所述扩散区以外仅部分地被由钎焊合金(25)形成的钎焊连接部填充。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述凹槽(20、27)具有通道(20)的形式。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述通道(20)环绕柱状的结构元件(22),其中所述结构元件(22)形成所述安装面(18)和/或所述接触面(14)。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述凹槽(20、27)占所述安装面(18)和/或所述接触面(14)的面积百分比是局部变化的。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述凹槽(20、27)占所述安装面(18)和/或所述接触面(14)的边缘的面积百分比高于占所述安装面(18)和/或所述接触面(14)的中部的面积百分比。

6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述凹槽(20、27)占所述安装面(18)和/或所述接触面(14)的热传递预期较高的区域的面积百分比高于占所述安装面(18)和/或所述接触面(14)的热传递预期较低的区域的面积百分比。

7.根据权利要求1至6之一所述的方法,其特征在于,所述凹槽(20、27)占所述元器件(13)的安装面(18)和/或所述衬底(12)的接触面(14)的面积百分比为50%以上。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述凹槽(20、27)占所述元器件(13)的安装面(18)和/或所述衬底(12)的接触面(14)的面积百分比为70%以上。

9.一种电子组件(11),其包含带有接触面(14)的衬底(12),电子元器件(13)以安装面(18)钎焊在所述接触面(14)上,其中钎焊连接部具有桥接所述接触面(14)和所述安装面(18)之间的间隙(21)的扩散区(24),所述扩散区(24)具有与焊料相比更高的熔化温度,其中,所述元器件(13)的安装面(18)和/或所述衬底(12)的接触面(14)设有凹槽(20、27),

-所述凹槽位于桥接所述接触面(14)与所述安装面(18)之间的间隙(21)的扩散区(24)以外,并且

-所述凹槽在所述扩散区以外仅部分地被由钎焊合金(25)形成的钎焊连接部填充。

10.根据权利要求9所述的电子组件,其特征在于,所述凹槽(20、27)占所述元器件(13)的安装面(18)和/或所述衬底(12)的接触面(14)的面积百分比为50%以上。

11.根据权利要求10所述的电子组件,其特征在于,所述凹槽(20、27)占所述元器件(13)的安装面(18)和/或所述衬底(12)的接触面(14)的面积百分比为70%以上。

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