[发明专利]薄膜晶体管阵列及图像显示装置有效

申请号：	201480053246.3	申请日：	2014-09-11
公开（公告）号：	CN105580120B	公开（公告）日：	2018-11-06
发明（设计）人：	熊谷稔;池田典昭	申请（专利权）人：	凸版印刷株式会社
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/28;H01L21/288;H01L29/786;H01L51/05
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	白丽;陈建全
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明提供在层间绝缘膜的形成中不使用光刻法、层间绝缘膜中缺陷少的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列至少具备绝缘基板(10)、栅电极(11)、栅极绝缘膜(12)、源电极(13B)、漏电极(14)、半导体层(15)、覆盖半导体层(15)的保护层(16)、像素电极(18)、以及形成在漏电极(14)与像素电极(18)之间的层间绝缘膜(17)。层间绝缘膜(17)是有机膜或有机与无机的混合膜，层间绝缘膜(17)在形成有漏电极(14)的位置的一部分具有通孔(40)以使像素电极(18)连接于漏电极(14)，漏电极(14)具有位于通孔(40)内且在电极材料上形成有开口的开口部，在通孔(40)内的漏电极(14)上存在硫醇基或二硫化物基。
搜索关键词：	薄膜晶体管阵列图像显示装置
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【主权项】：

1.一种薄膜晶体管阵列，其是至少具备绝缘基板、栅电极、栅极绝缘膜、源电极、漏电极、半导体层、覆盖所述半导体层的保护层、像素电极、以及形成在所述漏电极与所述像素电极之间的层间绝缘膜的薄膜晶体管阵列，其中，所述层间绝缘膜是有机膜或有机与无机的混合膜，所述层间绝缘膜在形成有所述漏电极的位置的一部分具有通孔以使所述像素电极连接于所述漏电极，所述漏电极具有位于所述通孔内且在电极材料上形成有开口的开口部，在所述通孔内的所述漏电极上存在硫醇基或二硫化物基。

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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