[发明专利]薄膜晶体管阵列及图像显示装置有效

专利信息
申请号: 201480053246.3 申请日: 2014-09-11
公开(公告)号: CN105580120B 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 熊谷稔;池田典昭 申请(专利权)人: 凸版印刷株式会社
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/28;H01L21/288;H01L29/786;H01L51/05
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 白丽;陈建全
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 图像 显示装置
【说明书】:

本发明提供在层间绝缘膜的形成中不使用光刻法、层间绝缘膜中缺陷少的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列至少具备绝缘基板(10)、栅电极(11)、栅极绝缘膜(12)、源电极(13B)、漏电极(14)、半导体层(15)、覆盖半导体层(15)的保护层(16)、像素电极(18)、以及形成在漏电极(14)与像素电极(18)之间的层间绝缘膜(17)。层间绝缘膜(17)是有机膜或有机与无机的混合膜,层间绝缘膜(17)在形成有漏电极(14)的位置的一部分具有通孔(40)以使像素电极(18)连接于漏电极(14),漏电极(14)具有位于通孔(40)内且在电极材料上形成有开口的开口部,在通孔(40)内的漏电极(14)上存在硫醇基或二硫化物基。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管阵列及图像显示装置。

背景技术

近年来,从挠性化、轻量化、低成本化等观点出发,使用了能够利用印刷法制造的有机半导体的薄膜晶体管的研究盛行,期待其在有机EL或电子纸等的驱动电路或者电子标签等中的应用。

薄膜晶体管是层叠导电体、绝缘体及半导体等而成的。薄膜晶体管阵列根据结构或用途而设有层间绝缘膜,介由设置于层间绝缘膜的通孔将上部的导电体与下部的导电体之间电连接。

为了制成层间绝缘膜,广泛使用下述方法:使用等离子体CVD对无机膜的氮化硅或氧化硅进行成膜,利用光致抗蚀剂形成所希望的开口部之后,利用干式刻蚀形成通孔。另外还有使用感光性树脂进行形成的方法。这些方法中,由于在通孔形成中使用光刻法,因此对于通过以低成本为目标的印刷法制造薄膜晶体管阵列的尝试,生产量或成本成为问题。

与此相对,专利文献1中记载了利用印刷法形成层间绝缘膜的方法。该方法中,在栅极绝缘膜的成膜之后利用喷墨法在要形成通孔的部分上涂布溶剂以将绝缘膜溶解,从而形成通孔。利用喷墨法将疏液油墨涂布于在通孔部中露出的导电体表面上来进行疏液化。进而,利用喷墨法在基板整面上印刷前体树脂并进行固化,从而形成层间绝缘膜。

另外,在专利文献2所记载的方法中,在对栅极绝缘膜进行成膜之后,利用喷墨法在要形成通孔的部分上涂布溶剂以将绝缘膜溶解,从而形成通孔。在通孔部中露出的导电体由于面积比开口部小,因此利用喷墨法在导电体表面上涂布疏液油墨来进行疏液化。进而,利用喷墨法在基板整面上印刷前体树脂并进行固化,从而形成层间绝缘膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2012-64844号公报

专利文献2:日本特开2012-204657号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

但是,专利文献1所记载的方法中由于在第一层间绝缘膜的成膜后涂布溶剂、进行通孔的开孔,因此在通孔部上易于残留第一层间绝缘膜的残渣、具有像素电极与漏电极的导通不充分的问题。

另外,专利文献2所记载的方法中虽然预先将通孔部的漏电极以小于第一层间绝缘膜的通孔尺寸的方式形成,但由于是利用真空成膜和光刻法进行的加工,因此与印刷法相比,在生产量和成本方面问题很大。

因此,本发明鉴于上述问题而作出,其目的在于提供在层间绝缘膜的形成中不使用光刻法且层间绝缘膜的缺陷少的薄膜晶体管阵列及图像显示装置。

本发明对于鉴于上述问题的通孔的结构提供下述的结构和制造方法:在层间绝缘膜的漏电极部分预先开个开口,利用喷墨法向其中涂布疏液处理油墨,从而仅使漏电极的通孔部为疏液性,由此可以利用印刷法形成层间绝缘膜。

用于解决技术问题的方法

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