[发明专利]涂覆的衬托器和抗弯曲法在审
| 申请号： | 201480053217.7 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105637118A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 弗朗西斯科·科里亚;D·克里帕;劳拉·戈博;M·毛切里;温森佐·奥格里阿里;弗兰科·佩雷蒂;马尔科·普利西;卡尔梅洛·韦基奥 | 申请（专利权）人： | LPE公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C30B25/12;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;郑霞 |
| 地址： | 意大*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本发明涉及用于外延生长的反应器的衬托器，由具有第一面和第二面的由石墨制成的圆盘形主体(20、30)组成；第一面包括至少一个区，特别地包括适于接收将经受外延生长的基底的圆形凹进部(21)或凸起(31)；第一面暴露对应于此区(21、31)的第一上表面(22、32)和围绕此区(21、31)的第二上表面(23、33)；第二面暴露下表面(24、34)；第二上表面(22、33)和下表面(24、34)用碳化硅的层来涂覆；所以，衬托器的向外弯曲在该衬托器的寿命期间即在已经被用于碳化硅的外延生长的许多工艺之后被限制。 | ||
| 搜索关键词： | 衬托 弯曲 | ||
【主权项】：
一种用于外延生长的反应器的衬托器，由具有第一面和第二面的由石墨制成的圆盘形主体组成，其中所述第一面包括适于接收将经受外延生长的基底的至少一个圆形区，据此所述第一面暴露对应于所述至少一个区的第一上表面和围绕所述至少一个区的第二上表面，其中所述第二面暴露下表面，其特征在于，所述第二上表面和所述下表面预先用碳化硅的层来涂覆。
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- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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