[发明专利]陶瓷生片、层叠陶瓷电容器的制造方法及层叠陶瓷电容器有效
| 申请号： | 201480051296.8 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN105556625B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 大国聪巳 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能够形成添加成分不存在的晶界相对于整个晶界的比例低的电介质层、且能够抑制绝缘电阻的劣化的进展的陶瓷生片、使用该陶瓷生片来制作的高可靠性的层叠陶瓷电容器及其制造方法。在陶瓷生片中，使含Si成分被覆了钛酸钡系陶瓷粒子的表面的比例(含Si成分被覆率)成为95％以上，使含稀土类元素成分被覆了钛酸钡系陶瓷粒子的表面的比例(含稀土类元素成分被覆率)成为85％以上。在制造层叠陶瓷电容器时，将所述陶瓷生片用于电介质层的形成。使稀土类元素存在于构成层叠陶瓷电容器的电介质层的钛酸钡系陶瓷的全部晶界中的98％以上的晶界。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 层叠 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷生片，其以钛酸钡系陶瓷粒子为主要的无机成分，所述陶瓷生片的特征在于，含Si成分被覆了所述钛酸钡系陶瓷粒子的表面的比例、即含Si成分被覆率为95％以上，并且含稀土类元素成分被覆了所述钛酸钡系陶瓷粒子的表面的比例、即含稀土类元素成分被覆率为85％以上，所述含Si成分被覆率是根据下述式(1)来求取的，所述含稀土类元素成分被覆率是根据下述式(2)来求取的，含Si成分被覆率(％)＝(Si元素存在的点的数量/测量点的数量)×100……(1)含稀土类元素成分被覆率(％)＝(稀土类元素存在的点的数量/测量点的数量)×100……(2)其中，所述Si元素存在的点的数量是通过点分析确认了Si的存在量的情况下的Si相对于除C、O以外的检测元素的总量的检测浓度为0.5原子％以上的点的数量，所述稀土类元素存在的点的数量是通过点分析确认了稀土类元素的存在量的情况下的稀土类元素相对于除C、O以外的检测元素的总量的检测浓度为0.5原子％以上的点的数量。
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