[发明专利]多晶硅的制造方法

摘要

本发明提供在将反应废气中所包含的氯硅烷回收并将其循环再供给至多晶硅析出反应而进行再利用时，在不将回收氯硅烷排除至体系外的情况下，在封闭化的体系内制造半导体级的高纯度多晶硅的方法。本发明中，采用了由C工序中分级出的回收氯硅烷得到杂质降低处理氯硅烷的D工序以及将该D工序中得到的杂质降低处理氯硅烷供给至作为多晶硅的析出工序的A工序的构成。通过该采用，在制造半导体级的高纯度多晶硅的工艺中，在析出反应体系内循环的回收氯硅烷中所蓄积的杂质化合物被除去，从而能够得到稳定品质的多晶硅。

主权项

一种多晶硅的制造方法，其具备下述的A～E工序：A工序：使三氯硅烷(TCS)或TCS与二氯硅烷(DCS)的混合物和氢气反应而析出多晶硅的工序；B工序：将所述A工序的废气回收并将冷凝性的氯硅烷与其他气体分离的工序；C工序：对所述B工序中冷凝后的氯硅烷进行蒸馏而将回收氯硅烷与除此以外的馏分分级的工序，所述回收氯硅烷为TCS与沸点比TCS低的成分的混合馏分；D工序：使所述C工序中分级出的回收氯硅烷的总量、或回收氯硅烷中的低沸点侧馏分以杂质降低处理的方式与吸附剂接触而得到杂质降低处理氯硅烷的工序；以及E工序：将所述D工序中得到的杂质降低处理氯硅烷供给至所述A工序的工序。