[发明专利]成像器件、制造装置、制造方法以及电子装置有效
申请号: | 201480050326.3 | 申请日: | 2014-09-10 |
公开(公告)号: | CN105612619B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 户田淳 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225;G02B3/04 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉;张雪梅 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种成像器件包括:光电转换单元和校正单元;所述校正单元校正入射在所述光电转换单元上的光的角度,所述校正单元位于所述光电转换单元的光入射侧上。所述校正单元具有弯曲表面,且所述弯曲表面的表面形状为球形表面。所述表面形状为根据预定公式的形状,所述预定公式涉及球形表面的半径、自成像平面的光轴的中心至成像平面的边缘的距离以及形成校正单元的材料的折射率。 | ||
搜索关键词: | 成像 器件 制造 装置 方法 以及 电子 | ||
【主权项】:
1.一种成像器件,包括:光电转换单元;和校正单元,被配置为校正入射在所述光电转换单元上的光的角度,其中所述校正单元位于所述光电转换单元的光入射侧上,其中所述校正单元具有弯曲表面,其中所述弯曲表面的表面形状为球形表面,以及其中所述表面形状满足下列条件:(1.15×n‑0.38‑0.0067473×((n‑1.2)2/0.42)×30)×x1≤r≤(((n‑1.35)2/0.252)×23.157/(20‑24.925)0.46551+44.5978‑29×n)×x1其中,r表示所述球形表面的半径,x1表示自成像平面的光轴的中心至所述成像平面的边缘的距离,以及n表示形成所述校正单元的材料的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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