[发明专利]先进的光提取结构有效
申请号: | 201480049299.8 | 申请日: | 2014-07-08 |
公开(公告)号: | CN105531824B | 公开(公告)日: | 2018-08-31 |
发明(设计)人: | Z·Y·陈;乔治·D·库伯 | 申请(专利权)人: | 皮瑟莱根特科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 刘华联;张少辉 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的技术涉及有机发光二极管(OLED),更特别地,其涉及OLED显示器的光提取以及可用于光提取结构的纳米复合物制剂。OLED依次包括:封装层或基体层;透镜的阵列;以及至少部分地被所述透镜的阵列覆盖的发光像素的阵列,其中至少一个透镜覆盖至少一个像素,并且所述透镜包括与封装层或基体层相比具有更高的折射率的材料。 | ||
搜索关键词: | 先进 提取 结构 | ||
【主权项】:
1.一种有机发光二极管(OLED)显示器,依次包括:平坦层,透镜的阵列,发光像素的阵列,所述透镜的阵列包括纳米复合物,所述纳米复合物针对波长400nm具有在1.7至1.9的范围内的折射率,所述纳米复合物包括无机纳米晶体和聚合物基体,其中所述无机纳米晶体的折射率大于所述聚合物基体的折射率;并且所述平坦层的折射率小于所述纳米复合物的折射率;至少一个所述透镜布置成使得从至少一个像素提高整体的光提取效率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的