[发明专利]光电器件及其制造方法和其材料有效

专利信息
申请号: 201480048236.0 申请日: 2014-07-02
公开(公告)号: CN105659406B 公开(公告)日: 2019-04-23
发明(设计)人: W.吉林;P.怀亚特;I.赫尔南德斯 申请(专利权)人: 伦敦大学;玛丽皇后与西田学院
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 邵长准;徐厚才
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要: 具有包含稀土或过渡金属离子的区域用于生成预定波长的辐射的光电信号转换器件。所述区域包含含有适于增强辐射的发射的配体的有机配合物和与辐射源的波长可分开同时操作的发色团,所述辐射源的波长不大于所述预定所需的辐射的波长。可以激发所述发色团与所述稀土或过渡金属离子的较高允许的能态交联耦合,从而通过随后的所述离子至允许的较低能态的衰变来生成所述预定所需的辐射。
搜索关键词: 光电 器件 及其 制造 方法 材料
【主权项】:
1.具有包含稀土或过渡金属离子的区域的光电信号转换器件,所述稀土或过渡金属离子具有允许的较高和较低的能态用于借助于所述能态之间的跃迁生成预定波长的辐射,其中所述稀土或过渡金属离子是铒,其中所述区域包含含有铒和适于通过将离子保持在所述较高能态中来增强辐射的发射的配体的有机配合物和与辐射源的波长可分开同时操作的发色团,所述辐射源的波长不大于所述预定波长以激发所述发色团与所述稀土或过渡金属离子的较高允许的能态或更高能态交叉耦合,由此所述离子衰变至所述允许的较高的能态从而通过随后的所述离子至允许的较低的能态的衰变来生成所述预定波长的辐射;其中所述配体是卤代配体以通过将离子保持在所述较高能态中来增强辐射的发射;和其中所述发色团是全卤代发色团。
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