[发明专利]增强的多孔化

摘要

本发明公开了在硅基板中形成多孔层。形成所述多孔层可包括将第一硅基板放置在溶液中，其中第一电极处于离所述硅基板的边缘的阈值距离内。其还可包括使第一电流传导穿过所述硅基板，其中所述第一电极可相对于所述边缘定位，从而允许沿着所述第一硅基板的所述边缘的实质上均匀的多孔化。

主权项

一种用于在硅基板上形成多孔层的方法，所述方法包括：将第一硅基板放置在溶液中，其中第一电极处于所述第一硅基板的第一边缘的阈值距离内；以及使第一电流传导穿过所述第一硅基板，其中所述第一电极的位置处于所述第一边缘的所述阈值距离内允许沿着所述第一硅基板的所述第一边缘的实质上均匀的多孔化，所述第一电极至少部分地围绕所述第一硅基板的周边边缘。