[发明专利]增强的多孔化

说明书

技术领域

本文所述主题的实施例整体涉及半导体、硅基板和太阳能电池。更具体地讲，所述主题的实施例涉及半导体、太阳能电池和制造工艺。

背景技术

半导体和基于硅的基板是广泛用于半导体和电子产业的熟知器件，适用于各种应用和器件。例如，太阳能电池(一种半导体型器件)是将太阳辐射转换为电能的熟知器件。它们可以在半导体晶片上用半导体加工技术制造。光伏电池或太阳能电池包括P型扩散区和N型扩散区。照射在太阳能电池上的太阳辐射产生迁移至扩散区的电子和空穴，从而在扩散区之间形成电压差。在背接触太阳能电池中，扩散区和与它们耦接的金属接触指均位于太阳能电池的背面上。接触区和接触指允许外部电路耦接到太阳能电池上并由太阳能电池供电。一个或多个实施例涉及光伏电池或太阳能电池和光伏制造工艺。此类工艺可包括加工硅基板以便为如下所述的后续太阳能电池工艺作准备。

发明内容

公开了用于在硅基板上形成多孔层的方法。所述方法可包括将第一硅基板放置在溶液中，其中第一电极处于所述第一硅基板的第一边缘的阈值距离内。所述方法还可包括使第一电流传导穿过第一硅基板，其中在第一边缘的阈值距离内放置第一电极允许沿着第一硅基板的第一边缘的实质上均匀的多孔化。所述方法还可包括在第一硅基板的第二边缘的阈值距离(相同或不同)内放置第一电极，从而允许沿着第一硅基板的第二边缘的实质上均匀的多孔化。

公开了在硅基板上形成多孔层的另一种方法。所述方法可包括将第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二电极与第三电极之间，其中第一电极沿着第一硅基板的第一周边边缘定位。所述方法还可包括使第一电流从第二电极穿过第一硅基板传导到第三电极，其中相对于第一周边边缘(例如，在阈值距离内)放置第一电极允许沿着第一硅基板的第一周边边缘的实质上均匀的多孔化。所述方法可包括相对于第一硅基板的第二周边边缘(例如，在阈值距离内)放置第一电极允许沿着第一硅基板的第二周边边缘的实质上均匀的多孔化。

公开了在硅基板上形成多孔层的又一种方法。所述方法可包括将第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二电极与第三电极之间，其中第一电极围绕第一硅基板的周边边缘。所述方法还可包括使第一电流从第二电极穿过第一硅基板传导到第三电极，其中相对于周边边缘(例如，在阈值距离内)放置第一电极允许沿着第一硅基板的周边边缘的实质上均匀的多孔化。

附图说明

当结合以下附图考虑时，通过参见具体实施方式和权利要求书可以更完全地理解所述主题，其中在所有附图中，类似的附图标记是指类似的元件。

图1为根据一些实施例用于在硅基板上形成多孔层的示例方法的流程示意图；

图2示出了根据一个实施例在第一硅基板上形成多孔层的横截面；

图3示出了根据一个实施例在第一硅基板和第二硅基板上形成多孔层的横截面；

图4至图6为根据一些实施例的第一电极和第一硅基板的示意性平面图；

图7示出了根据一个实施例在第一硅基板和第二硅基板上形成多孔层的横截面；

图8示出了根据一个实施例在第一硅基板上形成多孔层的横截面；

图9示出了根据一个实施例，根据用于在第一硅基板上形成多孔层的方法的多孔化结构的横截面；

图10示出了根据一个实施例，根据用于在第一硅基板上形成多孔层的方法的另一个多孔化结构的横截面；

图11示出了根据所公开的多孔化技术制造的示例太阳能电池的横截面；以及

图12示出了根据所公开的多孔化技术制造的另一个示例太阳能电池的横截面。

具体实施方式

以下具体实施方式本质上只是例证性的，并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作例子、实例或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施未必理解为相比其它实施优选的或有利的。此外，并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。

本说明书包括对“一个实施例”或“实施例”的提及。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。

术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中的术语的定义和/或背景：

“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用，该术语并不排除另外的结构或步骤。