[发明专利]作为用于在衬底上形成层的还原剂的二(三甲基甲硅烷基)六元环系统和相关化合物有效
申请号: | 201480047701.9 | 申请日: | 2014-06-27 |
公开(公告)号: | CN105492656B | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 查尔斯·温特;约瑟夫·彼得·克莱斯科 | 申请(专利权)人: | 韦恩州立大学 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52;C23C16/06 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人: | 浦彩华,武晨燕 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 使具有呈氧化态的一个原子的一种第一化合物与一种二(三甲基甲硅烷基)六元环系统或相关化合物反应,以形成相对于该第一化合物具有该呈还原态的原子的一种第二化合物。该呈氧化态的原子选自下组,该组由以下各项组成元素周期表中的第2族至第12族、镧系元素、As、Sb、Bi、Te、Si、Ge、Sn、以及Al。 | ||
搜索关键词: | 作为 用于 衬底 形成层 还原剂 甲基 硅烷 六元环 系统 相关 化合物 | ||
【主权项】:
一种方法,该方法包括:提供具有呈氧化态的原子的一种第一化合物的蒸气,该呈氧化态的原子是处于大于0的氧化态,该呈氧化态的原子选自下组,该组由以下各项组成:元素周期表中的第2族至第12族、镧系元素、As、Sb、Bi、Te、Si、Ge、Sn、以及Al;提供一种还原剂的蒸气,该还原剂选自由通过化学式IA和IB描述的化合物组成的组:以及其中:X1是CR6(SiR1R1’R1”)或N(SiR1R1’R1”);X2是CR7(SiR1R1’R1”)或N(SiR1R1’R1”);R1、R1’、R1”、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地是H、C1‑10烷基、C6‑14芳基、或C4‑14杂芳基;并且使该第一化合物的蒸气与该还原剂的蒸气反应,以形成相对于该第一化合物具有该呈还原态的原子的一种第二化合物。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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