[发明专利]使用基于温度的NAND设置的闪速存储器系统耐久性改进有效
| 申请号： | 201480047574.2 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105493194B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | Y.B.瓦克乔尔;K.潘加尔;郭炘 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;姜甜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了使用基于温度的闪速存储器设置来改进闪速存储器系统耐久性的方法和设备。在一个实施例中，存储器控制器逻辑至少部分基于阈值温度值和闪速存储器存储装置的感测的温度的比较来将第一调整配置文件或第二调整配置文件中的一个应用于闪速存储器存储装置。还公开和请求保护了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 基于 温度 nand 设置 存储器 系统 耐久性 改进 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：存储器控制器逻辑，用来至少部分基于阈值温度值和闪速存储器存储装置的感测的温度的比较来将第一调整配置文件或第二调整配置文件中的一个应用于所述闪速存储器存储装置。
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