[发明专利]辐射检测器、制造辐射检测器的方法、成像单元以及成像显示系统有效
| 申请号： | 201480046020.0 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN105474396A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 五十岚崇裕;畑田出穗;儿玉健;足立研;冈修一;御手洗俊;大岛居英;柳川周作;松本一治 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 付生辉;张雪梅 |
| 地址： | 日本国东*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种辐射检测器(1)，其包括：多个光电转换装置(20)，每个光电转换装置至少部分地形成在嵌入层(15)内并且具有至少部分地位于所述嵌入层外面的光接收表面(20A)；以及多个闪烁器晶体(30)，所述多个闪烁器晶体中的至少第一闪烁器晶体在近端处与至少一个光接收表面接触，其中，所述第一闪烁器晶体在所述近端处的横截面小于所述第一闪烁器晶体在远端处的横截面。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 检测器 制造 方法 成像 单元 以及 显示 系统 | ||
【主权项】：
一种辐射检测器，其包括：多个光电转换装置，每个光电转换装置至少部分地形成在嵌入层内并且具有至少部分地位于所述嵌入层外面的光接收表面；以及多个闪烁器晶体，所述多个闪烁器晶体中的至少第一闪烁器晶体在近端处与至少一个光接收表面接触，其中，所述第一闪烁器晶体在所述近端处的横截面小于所述第一闪烁器晶体在远端处的横截面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
