[发明专利]具有可变带隙的光伏电池有效
申请号: | 201480043319.0 | 申请日: | 2014-07-28 |
公开(公告)号: | CN105474413B | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | R·坎佩萨图;G·戈里 | 申请(专利权)人: | 试验电工中心意大利风信子接收股份公司 |
主分类号: | H01L31/0725 | 分类号: | H01L31/0725;H01L31/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 曹瑾 |
地址: | 意大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 建议了一种单片光伏电池。所述电池包括至少一个结。所述至少一个结中的每个结包括由第一导电类型的掺杂半导体材料形成的基极和由与第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂半导体材料形成的发射极。所述发射极按照第一方向被堆叠在基极上。所述至少一个结中的至少一个结的基极和/或发射极的半导体材料是由至少一种第一元素和第二元素的化合物形成的半导体材料。基极和/或发射极的所述半导体材料的带隙和晶格常数取决于所述第一元素在所述化合物中相对于所述第二元素的浓度。第一元素在所述化合物中相对于第二元素的所述浓度沿所述第一方向不是均匀的,其在所述基极和/或发射极的下部部分处等于第一值并且在所述基极和/或发射极的上部部分处等于比第一值低的第二值。所述上部部分按照第一方向在所述下部部分的上方。 | ||
搜索关键词: | 具有 可变 电池 | ||
【主权项】:
一种包括至少一个结的单片光伏电池,其中所述至少一个结中的每个结包括由第一导电类型的掺杂半导体材料形成的基极和由与第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂半导体材料形成的发射极,所述发射极按照第一方向被堆叠在基极上,所述至少一个结中的至少一个结的基极和/或发射极的半导体材料是由至少第一元素和第二元素的化合物形成的半导体材料,其中基极和/或发射极的所述半导体材料的带隙和晶格常数取决于所述第一元素在所述化合物中相对于所述第二元素的浓度,其特征在于第一元素在所述化合物中相对于第二元素的所述浓度沿所述第一方向不是均匀的,其在所述基极和/或发射极的下部部分处等于第一值并且在所述基极和/或发射极的上部部分处等于比第一值低的第二值,所述上部部分按照第一方向在所述下部部分的上方。
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