[发明专利]连续蒸馏式三氯氢硅气化供给装置有效
| 申请号： | 201480042111.7 | 申请日： | 2014-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN105659359B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 丸谷新治 | 申请（专利权）人： | 化工技术边界股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C01B33/107;C30B25/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 广州圣理华知识产权代理有限公司 44302 | 代理人： | 顿海舟;李唐明 |
| 地址： | 日本三重县松*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于半导体产业等的三氯氢硅气化供给装置。本发明的三氯氢硅气化供给装置包括：蒸发器1，具备作为载气的氢气的导入口3，还具有使液体三氯氢硅气化的加热装置16；冷凝器2，具有用低于气化的三氯氢硅气体的蒸气压的饱和蒸气压对应的温度使气体凝结的冷却装置20；冷凝器的精密温度控制机构及精密压力调节机构5，其中，蒸发器的中心线和冷凝器的中心线不在同一线上，且冷凝器的下端和蒸发器的下端通过管道13、14连通。另外，控制过程中，使被调节浓度的三氯氢硅·氢气混合气体总送气流量和蒸发器内液体三氯氢硅17的温度比例联动。 | ||
| 搜索关键词： | 连续 蒸馏 式三氯氢硅 气化 供给 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种连续蒸馏式三氯氢硅气化供给装置，包括：一蒸发器，具备作为载气的氢气的导入口，还具有使液体三氯氢硅气化的加热装置，该蒸发器更包含载气氢气供给管，且氢气经由该载气氢气供给管吹入该蒸发器内，又该液体三氯氢硅是经由一三氯氢硅补给阀向该蒸发器内压补给；和一冷凝器，具有用低于气化的三氯氢硅气体的蒸气压的饱和蒸气压对应的温度使气体凝结的冷却装置；其特征在于:该蒸发器的中心线和该冷凝器的中心线不在同一线上，且该冷凝器的下端和该蒸发器的下端，通过管道连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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