[发明专利]压电谐振器及其制造方法有效
| 申请号： | 201480041241.9 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105659495B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 梅田圭一 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及压电谐振器及其制造方法。提供一种抑制了基于Si的厚度偏差的谐振频率的偏差的压电谐振器。压电谐振器(1)具备单晶Si(5)、设置在上述单晶Si(5)上的由氮化铝构成的压电膜(8)、以及被设置成夹着上述压电膜(8)的第一电极和第二电极(6、7)，在由上述氮化铝构成的压电膜(8)掺杂有除了氮以及铝的元素，除了上述单晶Si(5)的部分的音速的合成音速实质上与上述单晶Si(5)的音速一致。 1 | ||
| 搜索关键词： | 压电谐振器 单晶 压电膜 音速 氮化铝 第二电极 第一电极 厚度偏差 谐振频率 制造 掺杂 合成 | ||
【主权项】：
1.一种压电谐振器，具备单晶Si、设置在上述单晶Si上的由氮化铝构成的压电膜、以及被设置成夹着上述压电膜的第一电极和第二电极，其中，在由上述氮化铝构成的压电膜掺杂有除了氮以及铝的元素，除了上述单晶Si的部分的音速的合成音速实质上与上述单晶Si的音速一致。
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