[发明专利]用于适于巨型光转换的光电全硅转换器的发射极的结构系统和相关的内置纳米膜及其制备方法

摘要

一种光电转换器结构，特征在于非晶纳米颗粒系统，优选是非晶硅纳米颗粒，具有任意形状，优选在晶体基质材料中延伸，优选晶体硅被元材料segmatter纳米层环绕包围，特征在于二次产生中心，称之为segton，受周围双空位的限制且设置为完全或仅部分在发射极区域内，该区域受纳米膜的每一端的限制，假设通过包含热电子、segton和segmatter的巨型光转换而适当的低能二次产生的利用。

主权项

1.一种用于光电全硅转换器的且具有内置纳米膜的发射极结构系统，其特征在于：嵌入纳米子系统，其基于不同形状的非晶纳米颗粒或纳米集合的，被四周包裹称为片段物质segmatter的元材料纳米层，所述片段物质是基于二次电子产生的调节至纳米尺度的元材料，与附近物理环境强烈相互作用，该环境是基于许多分隔活性子区域的纳米膜，其在调制的发射极区域中的整个或仅部分多晶硅内成团地且受限地形成内嵌活性纳米子结构排列，假设通过所致的巨型光转换来适当的利用低能二次电子产生，以及特征在于纳米子系统成团的发射极区域在一端被半导体表面界定以及在另一端被收集PN结界定，或者以多层外延结构或不同掺杂组分被分配在这两端之间，以允许在发射极区域部分内最好地形成和限制功能系统。/n