[发明专利]具有多个注入层的高压场效应晶体管

摘要

一种用于制造高压场效应晶体管的方法，包括在半导体衬底中形成一个主体区域、一个源极区域和一个漏极区域。该漏极区域通过该主体区域与该源极区域分开。形成该漏极区域包括：在半导体衬底的在该漏极区域上方的表面上形成一个氧化物层；以及在使该半导体衬底倾斜的同时穿过该氧化物层执行多个离子注入操作使得离子束以偏离垂线的角度撞击在该氧化物层上。所述多个注入操作在该漏极区域内形成相应的多个分立的注入层。所述注入层中的每一个形成在该漏极区域内的不同深度处。

主权项

1.一种用于制造高压场效应晶体管的方法，该方法包括：在半导体衬底中形成一个主体区域；在该半导体衬底中形成一个源极区域；在该半导体衬底中形成一个漏极区域，该漏极区域通过该主体区域与该源极区域分开，其中形成该漏极区域包括：使用热氧化工艺在该半导体衬底的在该漏极区域上方的表面上形成一个第一氧化物层；以及在使该半导体衬底倾斜的同时穿过该第一氧化物层执行多个离子注入操作，使得离子束以一个偏离垂线的角度撞击在该第一氧化物层上，其中所述多个离子注入操作在该漏极区域内形成相应的多个分立的注入层，并且其中所述注入层中的每一个形成在该漏极区域内的不同深度处；以及使用低温氧化物沉积工艺在该第一氧化物层的顶部上沉积第二氧化物层。