[发明专利]金属无PVD传导结构

摘要

本文公开了结构及其形成方法。在一个实施例中，结构包括区域(102)，其具有相对的第一和第二表面(104,106)。势垒区域(110)覆盖该区域。合金区域(112)覆盖势垒区域。合金区域包括第一金属以及选自由硅(Si)、锗(Ge)、铟(Id)、硼(B)、砷(As)、锑(Sb)、碲(Te)或镉(Cd)组成的组中的一种或多个元素。

主权项

1.一种结合到微电子组件中的结构，包括：衬底区域，具有相面对的第一表面和第二表面以及开口，所述开口具有在从所述第一表面朝向所述第二表面的第一方向上延伸的壁；势垒区域，覆盖所述衬底区域的所述开口的所述壁并且沿所述壁在所述第一方向上延伸，所述势垒区域包括二氧化硅(SiO2)、碳化硅(SiC)、碳氧化硅(SiOC)、和氮氧化硅(SiON)中的至少一种；合金区域，位于所述势垒区域上，沿所述壁在所述第一方向上延伸，所述合金区域包括第一金属以及选自由硅(Si)、锗(Ge)、铟(Id)、硼(B)、砷(As)、锑(Sb)、碲(Te)或镉(Cd)组成的组中的一种或多种元素，其中所述结构还包括：金属区域，覆盖所述合金区域，所述金属区域被无电或电解的至少一种方式沉积，并且其中来自所述合金区域的一种或多种元素的浓度在所述金属区域中小于1原子百分比(atom％)。