[发明专利]通过热处理和硫族化I-III前导层形成I-III-VI2半导体层有效
| 申请号： | 201480036695.7 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN105531803B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 塞德里克·布鲁西卢;西尔维·博德纳尔 | 申请（专利权）人： | 耐克西斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/36 | 分类号： | H01L21/36;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 | 代理人： | 张彪 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及形成半导体层的工业方法领域，尤其涉及关于光伏应用的领域，更具体而言而，涉及通过热处理和硫族化I‑III型金属前导层形成I‑III‑VI2型半导体层的方法，该方法包括：‑在惰性气体中的加热步骤S1，在该步骤中，温度均匀加热至介于460℃至540℃之间的第一温度T1，以便使金属前导层(2)致密化，以及，‑在所述第一温度T1开始的硫族化步骤S2，在该步骤中，温度继续增加至介于550℃至600℃之间的稳定的第二温度T2，以便形成半导体层。因此，有利的是，能形成转换效率的增益约为4％的半导体层或等效的吸收体。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 热处理 硫族化 iii 前导 形成 vi2 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种形成I‑III‑VI2型半导体层的方法，在炉膛中的至少一个腔体中，热处理和硫族化沉积在基底上的I‑III型金属前导层，所述方法包括：‑在惰性气体中的加热步骤，在该步骤中，温度均匀加热至介于460℃至540℃之间的第一温度，以便使前导层致密化，以及，‑在所述第一温度开始的硫族化步骤，在该步骤中，温度继续增加至介于550℃至600℃之间的稳定的第二温度，以便形成半导体层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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