[发明专利]光伏电池以及制造该光伏电池的方法

摘要

光伏电池，包括第一导电类型的半导体基板，该半导体基板布置有第一导电类型的高掺杂表面场层的第一表面。在高掺杂表面场层上，基板具有将该表面场层与相应接触件接触的至少一个接触区域。高掺杂表面场层在第一表面的至少一个接触区域位置处的掺杂浓度高于第一接触区域之外的表面区域中的掺杂浓度，并且高掺杂表面场层在第一表面中的每个接触区域位置处具有比该高掺杂表面场层在接触区域之外的部分中的轮廓深度大的轮廓深度。

主权项

光伏电池，包括第一导电类型的半导体基板，所述半导体基板具有布置有所述第一导电类型的高掺杂表面场层的第一表面；其中,在所述高掺杂表面场层上，所述基板具有将所述高掺杂表面场层与相应接触件接触的至少一个第一接触区域，其中，所述高掺杂表面场层在所述第一表面的至少一个第一接触区域位置处的掺杂浓度比所述第一接触区域之外的表面区域中的掺杂浓度更高，以及所述高掺杂表面场层在所述第一表面中的每个接触区域位置处具有比所述掺杂表面场层在所述接触区域之外的部分中的轮廓深度大的轮廓深度，其中，所述高掺杂表面场层在所述第一接触区域之外的位置包括位于所述半导体基板周边处的边缘部分，并且所述高掺杂表面场层的位于所述第一接触区域之外并包括所述边缘部分的部分被布置为局部地比所述高掺杂表面场层在第一表面中的第一接触区域位置处的部分变薄减少的厚度，所述减少的厚度被选择为提供边缘隔离，并且在所述边缘部分中的凹陷表面延伸到基板的边缘，并且所述高掺杂表面场层从所述凹陷表面移除，并且满足所述边缘部分的电阻值等于或大于所述边缘部分的电阻值的预定的最小值的条件。