[发明专利]碳纳米管的制造方法有效
申请号: | 201480035862.6 | 申请日: | 2014-06-26 |
公开(公告)号: | CN105339300B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 涉谷明庆 | 申请(专利权)人: | 日本瑞翁株式会社 |
主分类号: | C01B32/162 | 分类号: | C01B32/162 |
代理公司: | 北京市嘉元知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11484 | 代理人: | 张永新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的碳纳米管的制造方法包括在基材12上生长CNT的生长工序、和向生长炉13内供给包含水的清洁气体而进行清洁的清洁工序,在清洁工序中,进行清洁使得在将生长炉13内的气体中的氢气、二氧化碳及一氧化碳的浓度设为[H2]、[CO2]、[CO]时满足0.7≤{(2[CO2]+[CO])/[H2]}≤1.3。 | ||
搜索关键词: | 纳米 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种碳纳米管的制造方法,其是使碳纳米管在表面负载有催化剂的基材上生长的方法,其中,该制造方法包括:生长工序,向送入到生长炉内的所述基材的所述催化剂供给碳纳米管的原料气体,并且对所述催化剂及所述原料气体中的至少一者进行加热,使碳纳米管在所述基材上生长;和清洁工序,向所述生长炉内供给包含水的清洁气体,对所述生长炉内进行清洁,在将所述生长炉内的气体中的氢气的浓度设为[H2]、二氧化碳的浓度设为[CO2]、一氧化碳的浓度设为[CO]时,在所述清洁工序中,对所述生长炉内进行清洁、使得满足下述式(1):0.7≤{(2[CO2]+[CO])/[H2]}≤1.3···(1)。
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