[发明专利]用于高性能涂层的沉积的方法以及封装的电子器件有效

专利信息
申请号: 201480035616.0 申请日: 2014-06-30
公开(公告)号: CN105556698B 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: S.E.萨瓦斯;A.B.威斯诺斯基;C.盖尔夫斯基 申请(专利权)人: 艾克斯特朗欧洲公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 曲莹
地址: 德国黑*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 公开了一种用于在聚合物或其他材料上形成多层结构的方法,该方法提供光学功能或保护底层免于暴露于氧和水蒸气。也公开了新颖的器件,该器件可以包括多层保护结构和AMOLED显示、OLED照明或光伏器件。保护性多层结构本身可以通过在衬底上连续沉积至少三个非常薄的材料层而制成,所述非常薄的材料层具有不同的密度或组分。在沉积这种膜的一些方法中,各层通过改变膜的每单位厚度的离子轰击的能量来沉积。结构的任何层可以包括以下材料中的一个或多个:氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、或金属氮化物或氧化物。由此获益的特定商业用途包括光伏器件或包括照明和显示的有机发光二极管(OLED)器件的制造。
搜索关键词: 用于 性能 涂层 沉积 方法 以及 封装 电子器件
【主权项】:
1.一种用于在支撑光电器件的衬底上形成气密水份和氧屏障涂层的方法,其中所述衬底以一系列步骤处理,所述一系列步骤包括:将所述衬底在处理腔室内保持在大约100℃之下的温度范围内并且通过将衬底定位在等离子体附近将至少三层透明材料沉积在所述衬底上,其中随着涂覆过程发生从所述等离子体发生朝向所述衬底的离子轰击;通过等离子体增强化学气相沉积使所述衬底涂覆有厚度小于200nm的第一层透明材料,所述等离子体增强化学气相沉积包括邻近所述衬底来自所述等离子体的第一层的基本上离子轰击;通过等离子体增强的化学气相沉积,将衬底涂覆有第二层透明材料,以形成透明介电层,所述第二透明介电层具有与第一层的透明材料大致相同的组分,其中,与第一层的沉积相比,具有来自相邻等离子体的离子轰击功率相对于膜生长速率的较小的比率,并且其中,所述第二层具有小于200nm的厚度;以及通过等离子体增强的化学气相沉积,将衬底涂覆有厚度小于大约200nm的第三层的透明材料,该第三层的透明材料具有与第一和第二层的沉积的材料大致相同的组分,其中,来自相邻等离子体的离子轰击功率相对于膜生长速率的比率大致与第一层的沉积的相同,其中,所述第一层是类型1层,与作为类型2层的第二层相比,所述类型1层是更硬的、更致密的并且较小可渗透的,其中第一层、第二层和第三层具有碳含量0.5%到5%的碳掺杂。
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