[发明专利]高纯度1-氟代丁烷及等离子体蚀刻方法在审
| 申请号： | 201480034675.6 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105324356A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 杉本达也 | 申请（专利权）人： | 日本瑞翁株式会社 |
| 主分类号： | C07C19/08 | 分类号： | C07C19/08;C07C17/383;C07C17/389;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 袁波;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及：高纯度1-氟代丁烷，其特征在于，纯度为99.9体积％以上，丁烯类合计为1000体积ppm以下；该物质作为干蚀刻气体的用途；以及将所述高纯度1-氟代丁烷用作蚀刻气体的等离子体蚀刻方法。根据本发明，可以提供适合作为面向半导体的等离子体反应用气体的高纯度1-氟代丁烷，该物质作为干蚀刻气体的用途以及将所述高纯度1-氟代丁烷用作蚀刻气体的等离子体蚀刻方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 丁烷 等离子体 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1‑氟代丁烷，其特征在于，纯度为99.9体积％以上，丁烯类合计为1000体积ppm以下。
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