[发明专利]晶体管和用于制造晶体管的方法

摘要

本发明涉及具有载体衬底（110）和施加在载体衬底（110）上的由第一半导体材料构成的第一半导体层（130）的晶体管（100）。该晶体管（100）还包括施加在第一半导体层（130）上的由第二半导体材料构成的第二半导体层（135），其中第一半导体材料的带间距与第二半导体材料的带间距不同。该晶体管（100）还包括漏端子（145）和源端子（150），所述漏端子和源端子至少被嵌入在第二半导体层（135）中，其中借助所述漏端子（145）和源端子（150）至少能够电接触第一和第二半导体材料之间的分界层（140）。该晶体管（100）还包括所述漏端子（145）和源端子（150）之间的沟道区域（155）。该晶体管（100）还包括栅端子（170），其至少部分地覆盖沟道区域（155）。最后，该晶体管（100）包括凹槽（180），其被布置在载体衬底（100）的与所述漏端子（145）和源端子（150）相对的侧上并且至少部分地重叠沟道区域（155），其中凹槽（180）的侧面边缘（182）和/或底（183）被绝缘层（185）覆盖。

主权项

 具有以下特征的晶体管（100）：－载体衬底（110）；－施加在载体衬底（110）上的由第一半导体材料构成的第一半导体层（130）；－施加在第一半导体层（130、135）上的由第二半导体材料构成的第二半导体层（135），其中第一半导体材料的带间距与第二半导体材料的带间距不同；－漏端子（145）和源端子（150），所述漏端子和源端子至少被嵌入在第二半导体层（135）中，其中借助所述漏端子（145）和源端子（150）至少能够电接触第一和第二半导体材料之间的分界层（140）；－所述漏端子（145）和源端子（150）之间的沟道区域（155）；－栅端子（170），其至少部分地覆盖沟道区域（155）；以及－凹槽（180），其被布置在载体衬底（100）的与所述漏端子（145）和/或源端子（150）相对的侧上并且至少部分地重叠沟道区域（155），其中凹槽（180）的侧面边缘（182）和/或底（183）被绝缘层（185）覆盖。