[发明专利]作为显示装置的像素元件的氧化物半导体晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201480033487.1 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105324848A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 张震;石万柱;严在光;李秀熙 | 申请（专利权）人： | 庆熙大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种作为显示装置的像素元件的氧化物半导体晶体管及其制造方法。公开的氧化物半导体晶体管是作为显示装置的像素元件的氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括：基板；第一栅电极，其位于所述基板上；源极及漏极，其位于所述第一栅电极上；以及，第二栅电极，其位于所述源极及所述漏极上，其中，所述第一栅电极与所述第二栅电极电连接且被施加相同的电压，所述第二栅电极的宽度短于所述源极与所述漏极之间的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 作为 显示装置 像素 元件 氧化物 半导体 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体晶体管，作为显示装置的像素元件，其特征在于，包括：基板；第一栅电极，其位于所述基板上；源极及漏极，其位于所述第一栅电极上；以及第二栅电极，其位于所述源极及所述漏极上，其中，所述第一栅电极与所述第二栅电极电连接且被施加相同的电压，所述第二栅电极的宽度短于所述源极与所述漏极之间的宽度。
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