[发明专利]作为显示装置的像素元件的氧化物半导体晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种氧化物半导体晶体管，作为显示装置的像素元件，其特征在于，包括：

基板；

第一栅电极，其位于所述基板上；

源极及漏极，其位于所述第一栅电极上；以及

第二栅电极，其位于所述源极及所述漏极上，

其中，所述第一栅电极与所述第二栅电极电连接且被施加相同的电压，所述第二栅电极的宽度短于所述源极与所述漏极之间的宽度。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于：

所述第二栅电极的宽度为2μm以上。

3.根据权利要求1所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于：

所述第二栅电极的一端与所述源极之间的垂直距离的宽度及所述第二栅电极的另一端与所述漏极之间的垂直距离的宽度中至少一个宽度的值为0.5μm以上5μm以下。

4.根据权利要求1所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于，还包括：

连接电极，其电连接所述第一栅电极与所述第二栅电极。

5.根据权利要求1所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于，还包括：

栅极绝缘膜，其位于所述第一栅电极与所述源极/漏极之间；

氧化物半导体层，其位于所述栅极绝缘膜与所述源极/漏极之间；以及

保护层，其位于所述源极/漏极与所述第二栅电极之间。

6.根据权利要求5所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于：

所述源极与所述漏极向水平方向配置，

所述氧化物半导体晶体管还包括至少一部分位于所述源极与所述漏极之间的蚀刻阻挡。

7.根据权利要求6所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于：

所述栅极绝缘膜、所述蚀刻阻挡、所述保护层中至少一个由氧化物或金属氧化物构成。

8.根据权利要求1所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于：

所述氧化物半导体层由包括铟镓锌氧化物(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化锌镓(GZO)、铪铟锌氧化物(HIZO)、锌铟锡氧化物(ZITO)及铝锌锡氧化物(AZTO)中任意一种的非晶质或多晶体构成。

9.一种氧化物半导体晶体管，作为显示装置的像素元件，其特征在于，包括：

基板；

第一栅电极，其位于所述基板上；

源极及漏极，其位于所述第一栅电极上；以及

第二栅电极，其位于所述源极及所述漏极上，

其中，所述第一栅电极与所述第二栅电极配置于同一轴上，所述第二栅电极的宽度短于所述第一栅电极的宽度，所述第一栅电极与所述第二栅电极电连接且被施加相同的电压。

10.根据权利要求9所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于：

所述第二栅电极的宽度短于所述源极与所述漏极之间的宽度。

11.根据权利要求9所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于：

所述第二栅电极的一端与所述源极之间的垂直距离的宽度及所述第二栅电极的另一端与所述漏极之间的垂直距离的宽度中至少一个宽度的值为0.5μm以上5μm以下。

12.一种氧化物半导体晶体管的制造方法，用于制造作为显示装置的像素元件的氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括：

在所述基板上形成第一栅电极的步骤；

在所述第一栅电极上依次形成栅极绝缘膜、氧化物半导体层及蚀刻阻挡的步骤；

在所述栅极绝缘膜、所述氧化物半导体层及所述蚀刻阻挡上形成源极/漏极的步骤；

在所述源极/漏极上形成保护层的步骤；以及

在所述保护层上形成第二栅电极及电连接所述第一栅电极与所述第二栅电极的连接电极的步骤，

其中，所述第二栅电极的宽度短于所述源极与所述漏极之间的宽度。

13.根据权利要求12所述的氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于：

所述第二栅电极的一端与所述源极之间的垂直距离的宽度及所述第二栅电极的另一端与所述漏极之间的垂直距离的宽度中至少一个宽度的值为0.5μm以上5μm以下。